国防科大“培育”新材料 手机一年充一次电不是梦

　　央广网3月6日消息（邹倚岚 陈进 记者徐晓羽）国防科学技术大学“低维物理与纳米器件”研究团队，近日在国际上率先运用“超高真空分子束外延”方法，“培育出”了一种新型二维材料二碲化钼（MoTe2）。这种超薄材料同时具备半导体和金属的特性，可解决电子设备的发热和功耗问题，有望实现下一代超高速、低功耗、微型化的电子信息器件。

　　国防科技大学讲师王广说，目前的电子设备，包括电脑和智能手机等，芯片都是用半导体硅材料制造，随着芯片上晶体管的数量增加和集成度不断提高，就像早高峰堵在马路上的汽车一样，电子的运动非常缓慢，还会带来严重的器件发热和功耗问题，而二碲化钼这类新型的二维半导体材料，能够在很小的尺寸下依然保持优良的特性，因此可以取代硅材料来制造新型的纳米晶体管。

　　据国防科技大学讲师王广介绍，依托这种新型二维晶体材料生产出的电子元器件加上功能强大的电池，我们的手机和手提电脑等电子设备充一次电使用一年将不是梦想，将为我们的生活带来极大的便利。“打个比方来说，现在我们的智能手机可能一天至少要充一次电，而运用这种新材料来制造低能耗的晶体管，有可能实现未来手机一年只充一次电这样的梦想。当然，这类材料还有可能应用于未来包括手性拓扑电子学，量子计算机等颠覆性技术的领域。”

　　面对军队改革，国防科技大学科研人员牢记职责使命，把岗位当战位，凝神聚力开展科研攻关，矢志不渝地坚守国防科技自主创新高地。

　　国防科技大学讲师王广说，作为一名军队科技工作者，我们会心无旁鹜，踏实工作，立足教学科研本职岗位，积极探索，勇于实践创新，以实际行动为改革助力，为科技强军新军事业做出自己应有的贡献。